Rice Universität: biegsame, durchsichtige Computerspeicher in 3D

Schon 2008 wurden die Schaltereigenschaften von Silikonoxid entdeckt. Jetzt haben die Chemiker der Rice Universität einen Speicher basierend auf Silikonoxid gebaut der seinen Speicherzustand auch ohne Stromzufuhr aufrechterhält. Dabei hat der entstehende Kanal eine Weite von nur 5 Nanometern, während heute Spitzentechnologie 22 Nanometer braucht. Grafen wird dabei als Elektrodenmaterial verwendet.



Rice University making reliable 3-D memories from silicon oxide and graphene